Quadruple Level Cells

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Quadruple Level Cells (QLC) sind Flash-Speicher-Chips mit 16 Zuständen pro Zelle, also 4 Bit pro Speicherzelle.[1][2]

Die QLC-NAND-Flash-Chips können durch ihre 16 Zustände auf einem Die bis zu 768 Gigabit speichern. In einem einzelnen Chipgehäuse sind 96 Lagen geplant, wodurch dieses 9 Terabyte fassen würde.[3] Dadurch sollen SSDs mit weit über 100 TByte möglich werden.[4][5] Laut Ankündigungen von Toshiba sollen die Zellen bis zu 1000 Schreibzyklen überstehen, was in etwa dem Niveau aktueller TLC-Speicherzellen entspricht.[6] Zudem sollen die so gefertigten SSDs mit Hilfe weiterer Techniken eine äußerst niedrige Stromaufnahme im Idle-Betrieb aufweisen, was wichtig für WORM-Anwendungen (write once, read many) ist.[7]

Geschichte[Bearbeiten]

Die Zellen sind seit 2008 von SanDisk und Toshiba in Entwicklung.[8] Prototypen von Toshiba sollen auf dem Flash Memory Summit im August 2017 vorgestellt werden. Im zweiten Halbjahr 2017 soll die Serienproduktion anlaufen.[3] Western Digital kündigte an, die im Rahmen eines Joint Venture mit Toshiba entwickelte Technologie ebenfalls bis 2018 auf den Markt bringen zu wollen.[9]

Siehe auch[Bearbeiten]

Einzelnachweise[Bearbeiten]